STGW30N90D

STGW30N90D
Кол-во:
Заказать
Название: STGW30N90D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Chnl 900V IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9303611.pdf
Время доставки: до 2-3 недель
Доставка:
Детальное описание компонента STGW30N90D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SI5330B-A00206-GMR SI5330B-A00206-GMR Silicon Labs Тактовые генераторы и продукция для поддержки Diff In 1.8V output 1:4 ClkBuff 5-710MHz ---
KMPC857TVR100B KMPC857TVR100B Freescale Semiconductor Микропроцессоры (MPU) POWER QUICC NO PB ---
93C56AT-I/MSG 93C56AT-I/MSG Microchip Technology EEPROM 256x8 Lead Free Package 8752124.pdf
DS2411X#U DS2411X#U Maxim Integrated Products Регистрация серийного номера Silicon Serial Number w/Vcc Input 9633169.pdf
IS61QDPB41M18A-400M3L IS61QDPB41M18A-400M3L ISSI Стат. ОЗУ 18Mb 1Mx18 2.5 QUAD Sync Стат. ОЗУ 9656153.pdf
© Uralchip 2008-2019. All rights reserved.