STGW30N90D

STGW30N90D
Кол-во:
Заказать
Название: STGW30N90D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Chnl 900V IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9303611.pdf
Время доставки: до 2-3 недель
Доставка:
Детальное описание компонента STGW30N90D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BAV23,235 BAV23,235 NXP Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-11 3755900.pdf
EMA7T2R EMA7T2R ROHM Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) DUAL PNP/PNP ---
PXV1220S-7DBN6-T PXV1220S-7DBN6-T Susumu Attenuators (ICs) 7.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW 9382364.pdf
PCA9675DB PCA9675DB NXP Semiconductors Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы 16-BIT I2C FM+ QB GPIO RST PU 5073179.pdf
IS42S81600F-6TL IS42S81600F-6TL ISSI DRAM 128M 16Mx8 166Mhz SDRAM, 3.3v 6857076.pdf
© Uralchip 2008-2018. All rights reserved.