FF600R12IE4

FF600R12IE4
Кол-во:
Заказать
Название: FF600R12IE4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Время доставки: до 2-3 недель
Доставка:
Детальное описание компонента FF600R12IE4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок PRIME2
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
E-TDA7570 E-TDA7570 STMicroelectronics Цифровые процессоры звукового сигнала 250W PWM High Efficiency Power Amp 5949247.pdf
CY7C1414KV18-250BZXIT CY7C1414KV18-250BZXIT Cypress Semiconductor Стат. ОЗУ 36Mb 1.8V 1Mb x 36 ---
MAX6008AEUR-T MAX6008AEUR-T Maxim Integrated Products Эталоны напряжения и тока 8097990.pdf
1218699-2 1218699-2 TE Connectivity Контакты D-Subminiature AMPLIMITE #22 PIN CONTACT ---
L17D440SP L17D440SP Amphenol Commercial Products Инструменты и аппаратное оборудование D-Subminiature ---
© Uralchip 2008-2018. All rights reserved.